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VGF坩堝

 ● 產品概述
   VGF坩堝是應用于VGF技術中的一類坩堝,垂直梯度凝固法(VGF)技術是目前流行的技術,是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。

● 主要特點:
   1.可制作大規格坩堝(最大直徑為8inch,最大高度為18inch);
   2.純度保證(>99.99%);
   3.使用次數多(具有優異的層間結構);
   4.成晶率高(通過對各向異性的調整,保證高的成晶率
)
● 主要參數:

性能

單位

數值

密度

g/cm3

2.0-2.19

體積電阻系數

Ω·cm

3.11×1011

抗張強度 (力|| “C”)

N/mm2

153.86

抗彎強度

(力|| “C”)

N/mm2

243.63

(力⊥“C”)

N/mm2

197.76

顯微硬度

 -

N/mm2

691.88

熱傳導率

 -

-

“a”方向    “c”方向

(200℃)

W/m·k

       60              2.60

(900℃)

W/m·k

      43.70          2.80

介電強度(室溫)

KV/mm 

56

● 產品應用:

用于VGF法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
聯系方式:
   訂購熱線:0534-2129266
*公司網址:http://www.guojingxincai.com

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