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MBE坩堝

● 產品概述:
      分子束外延(MBE)法是生產砷化鎵外延片方法之一,該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高,化學穩定性好。

主要特點:

1. 可制作大規格坩堝(最大直徑為12inch,最大高度為17inch

2. 密度高(最高可達2.19 g/cm3

3. 純度高(>99.99%);

4.不易開裂(優異的熱膨脹系數)

主要參數:

性能

單位

數值

密度

g/cm3

2.0-2.19

體積電阻系數

Ω·cm

3.11×1011

抗張強度 (力|| “C”)

N/mm2

153.86

抗彎強度

(力|| “C”)

N/mm2

243.63

(力⊥“C”)

N/mm2

197.76

顯微硬度

 -

N/mm2

691.88

熱傳導率

 -

-

“a”方向    “c”方向

(200℃)

W/m·k

60         2.60

(900℃)

W/m·k

43.70       2.80

介電強度(室溫)

KV/mm

56

產品的應用:

 主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
聯系方式:
 
  訂購熱線:0534-2129266

* 國晶官網鏈接http://www.guojingxincai.com

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